SK하이닉스가 현존 최고 성능 D램인 ‘HBM3’의 기술적 한계를 또 한 번 넘어섰다. 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 24GB를 구현한 HBM3 신제품을 개발했다. 기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB다.

SK하이닉스는 20일 ‘12단 적층’ HBM3를 고객사에 제공해 성능 검증을 받고 있다고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 고부가가치·고성능 제품이다. 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3) 순으로 개발됐다.

SK하이닉스는 “지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발했다”며 “최근 ‘AI 챗봇’(인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것”이라고 했다. SK하이닉스의 HBM3는 고화질 영화 163편을 1초에 전송하는, 초당 819GB의 속도를 구현한다.

SK하이닉스는 “신기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했고, 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다”고 설명했다.

SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품이다. 최신 규격인 HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으며, 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어나고 있다고 회사 측은 밝혔다.

SK하이닉스 홍상후 부사장(P&T담당)은 “세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다”며 “상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다”고 말했다.